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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
12.9
写入速度,GB/s
2,123.3
9.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2687
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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