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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
59
左右 -228% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
18
读取速度,GB/s
4,833.8
20.8
写入速度,GB/s
2,123.3
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3650
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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