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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
19.4
写入速度,GB/s
2,123.3
16.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3646
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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