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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
14.0
写入速度,GB/s
2,123.3
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2920
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lenovo 16GB
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