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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
17.7
写入速度,GB/s
2,123.3
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3483
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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