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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,833.8
18.3
写入速度,GB/s
2,123.3
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3736
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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