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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
17.2
写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3461
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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