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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
19.8
写入速度,GB/s
2,123.3
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3920
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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