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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
19.6
写入速度,GB/s
2,123.3
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3432
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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