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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
15.9
写入速度,GB/s
2,123.3
10.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2847
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
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