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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
15.7
写入速度,GB/s
2,123.3
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3062
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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