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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
59
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
52
读取速度,GB/s
4,833.8
16.1
写入速度,GB/s
2,123.3
13.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2853
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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