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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.7
16.0
写入速度,GB/s
8.3
12.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2353
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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