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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
20.1
写入速度,GB/s
870.4
18.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4207
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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