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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
18.9
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
87
周辺 -263% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
24
読み出し速度、GB/s
3,155.6
20.1
書き込み速度、GB/秒
870.4
18.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
4207
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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