RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2353
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link