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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
17.5
写入速度,GB/s
2,123.3
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3011
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology 16GB
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Super Talent F24EA8GS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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