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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
15.6
写入速度,GB/s
2,123.3
10.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2890
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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