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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
18.3
写入速度,GB/s
2,123.3
15.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3601
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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