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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2495
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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