RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
59
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2495
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link