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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
20.3
写入速度,GB/s
2,123.3
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
4116
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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