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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
15.9
写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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