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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
62
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
62
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.1
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2018
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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