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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
56
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
28
读取速度,GB/s
4,387.7
17.8
写入速度,GB/s
1,813.5
16.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3898
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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