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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
59
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
19
读取速度,GB/s
4,833.8
20.8
写入速度,GB/s
2,123.3
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3821
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
INTENSO 5641162 8GB
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