RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
59
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
17.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3821
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link