RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
2271
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Lenovo 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link