Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 43

En -34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.6 8.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1706 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns