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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
11.8
写入速度,GB/s
2,123.3
6.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1860
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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