RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
6.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1860
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link