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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
14.8
写入速度,GB/s
2,123.3
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2759
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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