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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2952
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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