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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
15.7
写入速度,GB/s
2,123.3
9.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2713
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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