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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
18.2
写入速度,GB/s
2,123.3
15.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3498
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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