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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.0
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2919
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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