RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2919
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link