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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905744-024.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
14.4
写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2836
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Jinyu 16GB
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