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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
59
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
46
读取速度,GB/s
4,833.8
10.7
写入速度,GB/s
2,123.3
8.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2239
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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