RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
59
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
46
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2239
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link