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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
14.5
写入速度,GB/s
2,123.3
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2580
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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