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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
17.1
写入速度,GB/s
2,123.3
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3286
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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