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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,833.8
14.7
写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2698
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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