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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,833.8
14.3
写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2912
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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