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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
11.7
写入速度,GB/s
8.9
6.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1426
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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