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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
10.1
16.2
写入速度,GB/s
7.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
3299
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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