RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 6.0
    テスト平均値
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 40
    周辺 -43% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 1426

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
メモリRAM