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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3067
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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