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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
2,936.9
19.3
写入速度,GB/s
1,884.0
15.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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