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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
45
读取速度,GB/s
2,831.6
16.6
写入速度,GB/s
1,322.6
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3233
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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